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Kioxia宣布成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH三维(3D)闪存

铠侠 (Kioxia,原东芝半导体Toshiba)今日宣布,该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。铠侠计划开始在2020年第一季度为特定应用提供样品,新产品具有512 Gb(64千兆字节)容量并采用TLC(每单元3位数据)技术*1。这款新产品旨在满足对各种应用不断增长的位需求,包括传统移动设备、消费类和企业类固态硬盘(SSD)、新的5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶车辆。

 

展望未来,铠侠将其新的第五代工艺技术应用于更大容量的闪存产品,例如1 Tb(128千兆字节)TLC和1.33 Tb QLC(每单元4位数据)产品。

 

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合,与96层堆叠工艺相比,将存储单元阵列密度提高约20%。因此,每片硅晶圆可以制造的存储容量更高,从而也降低了每位的成本(Bit-cost)。此外,它将接口速度提高50%,并提供更高的写性能和更短的读取延迟。

 

自2007率先发布采用3D堆叠结构的闪存以来*2 ,铠侠一直在推进3D闪存的开发,并积极推广BiCS FLASH™,以满足对更小芯片尺寸和更大容量的需求。

 

第五代BiCS FLASH™是与技术和制造合作伙伴西部数据公司(Western Digital Corporation)共同开发的。它将在铠侠的四日市工厂和新建的北上工厂生产。

 

注:

 

1. 并非所有功能都已经过测试,且设备特性将来可能变更。

 

2. 来源:铠侠株式会社,截至2007年6月12日。

 

* 本文提及的所有其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

 

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息,请联系当地的Kioxia代理商进行询问。

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