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图片信息
SI5411EDU-T1-GE3图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SI5411EDU-T1-GE3
  • 原始制造厂商:Vishay,威世
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载SI5411EDU-T1-GE3的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SI5411EDU-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:TrenchFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.2 毫欧 @ 6A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):105nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4100pF @ 6V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),31W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PowerPAK? ChipFET 单通道
  • SI5411EDU-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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