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图片信息
TIS75_J35Z图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:TIS75_J35Z
  • 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
  • 技术标准参数:JFET N-CH 30V 350MW TO92
  • 产品应用分类:JFET结点场效应管
  • 点击此处下载TIS75_J35Z的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:TIS75_J35Z
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:JFET N-CH 30V 350MW TO92
  • 系列:-
  • FET 类型:N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30V
  • 漏源极电压 (Vdss):-
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):8mA @ 15V
  • 漏极电流 (Id) - 最大值:-
  • 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):800mV @ 4nA
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):18pF @ 10V(VGS)
  • 电阻 - RDS(开):60 欧姆
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体
  • 供应商器件封装:TO-92-3
  • 功率 - 最大值:350mW
  • TIS75_J35Z均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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